当e—b1间电压UEB1为零时,二极管承受反向电压,其值UEA=?7VBB。发射极的电流IE为二极管的反向电流,记作IE0。若缓慢增大"咖,则二极管端电压UEA随之增大;据结的反向特性可知,只有当UEA接近零时IE的数值才明显减小;当UEB1=UEA时,二极管的端电压为零,IE = 0。若UEB1继续增大,使PN结的正向电压大于开启电压时,则IE变为正向电流,从发射极6流向基极b1。此时,空穴浓度很高的P区向电子浓度很低的硅棒的A-b1区注入非平衡少子;由于半导体材料电阻与其载流子的浓度紧密相关,注入的载流子使Rb1减小,进而使其两端的压降减小,导致PN结正向电压增大,必然随之增大,注人的载流子将更多,于是rb1将进一步减小;当IE增大到一定程度时,二极管的导通电压降变化不大,此时UEB1将因rb1的减小而减小,表现出负阻特性。
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